Samsung
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-VAP8T0BW |
| Capacidad | -8 TB |
| Interfaz | - PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0 |
| Tamaño | - M.2 (2280) |
| Rendimiento | - Lectura secuencial: hasta 14.800 MB/s - Escritura secuencial: hasta 13.400 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.200.000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.600.000 IOPS |
| Características | - Tipo de memoria: Samsung V-NAND TLC - Memoria caché: Samsung 8 GB DDR4X SDRAM - Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive) - Resistencia a los golpes: 1500G Dimensiones y peso - 80,15 x 22.15 x 3,88 mm - 9,5 g |
| Fecha de revisión | 03-11-2025 por RTY |
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-VAP8T0BW |
| Capacidad | -8 TB |
| Interfaz | - PCIe Gen 5.0 x4 NVMe 2.0 |
| Tamaño | - M.2 (2280) |
| Rendimiento | - Lectura secuencial: hasta 14.800 MB/s - Escritura secuencial: hasta 13.400 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.200.000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 2.600.000 IOPS |
| Características | - Tipo de memoria: Samsung V-NAND TLC - Memoria caché: Samsung 8 GB DDR4X SDRAM - Encriptación: AES 256-bit Encryption (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive) - Resistencia a los golpes: 1500G Dimensiones y peso - 80,15 x 22.15 x 3,88 mm - 9,5 g |
| Fecha de revisión | 03-11-2025 por RTY |
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