Samsung

| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-VAP8T0CW |
| Características | - Capacidad:8 TB - Factor de forma: M.2 2280 - Interfaz: PCIe5.0 x4, NVMe 2.0 - Memoria NAND: Samsung V-NAND TLC - Controlador: Samsung (in-house) - Cache: Samsung8 GBDDR4X de bajo consumo - Lectura secuencial: hasta14.800 MB/s - Escritura secuencial: hasta13.400 MB/s - Lectura aleatoria: hasta2.200.000 IOPS - Escritura aleatoria: hasta2.600.000 IOPS - Soporte TRIM - Soporte S.M.A.R.T - Cifrado:AES 256-bit, TCG Opal, IEEE1667 - Consumo medio: lectura 10,5 W / escritura 8,8 W - Consumo en reposo: 9,3 mW - Modo sleep del dispositivo - Temperatura de funcionamiento: 0 C a 70 C - Resistencia a impactos: 1.500 G, 0,5 ms - Software de gestion: Samsung Magician Dimensiones y peso - 81.28 x 22.86 x 11.17 mm - 30 g |
| Fecha de revisión | 02-02-2026 por IS |
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-VAP8T0CW |
| Características | - Capacidad:8 TB - Factor de forma: M.2 2280 - Interfaz: PCIe5.0 x4, NVMe 2.0 - Memoria NAND: Samsung V-NAND TLC - Controlador: Samsung (in-house) - Cache: Samsung8 GBDDR4X de bajo consumo - Lectura secuencial: hasta14.800 MB/s - Escritura secuencial: hasta13.400 MB/s - Lectura aleatoria: hasta2.200.000 IOPS - Escritura aleatoria: hasta2.600.000 IOPS - Soporte TRIM - Soporte S.M.A.R.T - Cifrado:AES 256-bit, TCG Opal, IEEE1667 - Consumo medio: lectura 10,5 W / escritura 8,8 W - Consumo en reposo: 9,3 mW - Modo sleep del dispositivo - Temperatura de funcionamiento: 0 C a 70 C - Resistencia a impactos: 1.500 G, 0,5 ms - Software de gestion: Samsung Magician Dimensiones y peso - 81.28 x 22.86 x 11.17 mm - 30 g |
| Fecha de revisión | 02-02-2026 por IS |
Sin stock
Este producto todavía no tiene reseñas publicadas. Sé la primera persona en compartir tu experiencia.
Este producto todavía no tiene reseñas publicadas. Sé la primera persona en compartir tu experiencia.
Ayuda a otros compradores con tu valoración, título y comentarios opcionales.