Samsung
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-VAP8T0CW |
| Características | - Capacidad:8 TB - Factor de forma: M.2 2280 - Interfaz: PCIe5.0 x4, NVMe 2.0 - Memoria NAND: Samsung V-NAND TLC - Controlador: Samsung (in-house) - Cache: Samsung8 GBDDR4X de bajo consumo - Lectura secuencial: hasta14.800 MB/s - Escritura secuencial: hasta13.400 MB/s - Lectura aleatoria: hasta2.200.000 IOPS - Escritura aleatoria: hasta2.600.000 IOPS - Soporte TRIM - Soporte S.M.A.R.T - Cifrado:AES 256-bit, TCG Opal, IEEE1667 - Consumo medio: lectura 10,5 W / escritura 8,8 W - Consumo en reposo: 9,3 mW - Modo sleep del dispositivo - Temperatura de funcionamiento: 0 C a 70 C - Resistencia a impactos: 1.500 G, 0,5 ms - Software de gestion: Samsung Magician Dimensiones y peso - 81.28 x 22.86 x 11.17 mm - 30 g |
| Fecha de revisión | 02-02-2026 por IS |
| Marca | Samsung |
| Modelo | MZ-VAP8T0CW |
| Características | - Capacidad:8 TB - Factor de forma: M.2 2280 - Interfaz: PCIe5.0 x4, NVMe 2.0 - Memoria NAND: Samsung V-NAND TLC - Controlador: Samsung (in-house) - Cache: Samsung8 GBDDR4X de bajo consumo - Lectura secuencial: hasta14.800 MB/s - Escritura secuencial: hasta13.400 MB/s - Lectura aleatoria: hasta2.200.000 IOPS - Escritura aleatoria: hasta2.600.000 IOPS - Soporte TRIM - Soporte S.M.A.R.T - Cifrado:AES 256-bit, TCG Opal, IEEE1667 - Consumo medio: lectura 10,5 W / escritura 8,8 W - Consumo en reposo: 9,3 mW - Modo sleep del dispositivo - Temperatura de funcionamiento: 0 C a 70 C - Resistencia a impactos: 1.500 G, 0,5 ms - Software de gestion: Samsung Magician Dimensiones y peso - 81.28 x 22.86 x 11.17 mm - 30 g |
| Fecha de revisión | 02-02-2026 por IS |
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